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J-GLOBAL ID：201702243992559494   整理番号：17A0691871

高アスペクト比プロセス用の背面電極電着

Back plate electroplating for high aspect ratio processes

著者 (14件)： MARASSO Simone Luigi (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  MARASSO Simone Luigi (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  BENETTO Simone (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  PARA Isabella (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  OTTONE Chiara (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  MOMBELLO Domenico (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  PERRONE Denis (Istituto Italiano di Tecnologia, Torino, ITA) ,  FERRERO Sergio (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  SCALTRITO Luciano (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  PUGLIESE Diego (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  COCUZZA Matteo (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  COCUZZA Matteo (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  COCUZZA Matteo (Istituto Italiano di Tecnologia, Torino, ITA) ,  PIRRI Fabrizio Candido (Politecnico di Torino, Torino, ITA)
資料名： Microelectronics International  (Microelectronics International)
巻： 34  号： 2  ページ： 69-74  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0949A  ISSN： 1356-5362  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アスペクト比の高い(6:1)ホットエンボス加工マスタを得るために,「背面電極電着」と呼ぶ代替法を開発した。この方法では,半導体の背面上の電気接触を通した電着プロセスにより,標準のnドープSiウエハの前面にパターン形成したCuを堆積させる。このプロセスでは,前面パターン上の電気接触を用いずにCuの幾何形状は選択的に電着できる。従って本方法の利点は,1)接触の工程計画の複雑な設計が不要であり,2)裸のSi表面上のSU-8厚膜の接着が向上することである。この方法を適用して,LIGA様プロセスフローにおけるホットエンボス用のマスタを製造した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *電極 ,  *電着 ,  接触 ,  ウエハ【IC】 ,  パターン形成 ,  銅 ,  N型半導体 ,  エンボス加工 ,  フォトレジスト ,  *アスペクト比
準シソーラス用語： Siウエハ ,  SU-8 ,  ホットエンボス加工 ,  *高アスペクト比 ,  電気接触 ,  *背面電極

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高アスペクト比 ,  プロセス ,  背面電極 ,  電着