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J-GLOBAL ID：201702244011050753   整理番号：17A0620945

直接バンドギャップGe/Ge_0.87Sn_0.13コア/シェルナノワイヤアレイの成長と光学的性質

Growth and Optical Properties of Direct Band Gap Ge/Ge_0.87Sn_0.13 Core/Shell Nanowire Arrays

著者 (15件)： ASSALI S. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  DIJKSTRA A. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  LI A. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  LI A. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  LI A. (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  KOELLING S. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  VERHEIJEN M.A. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  VERHEIJEN M.A. (Philips Innovation Lab. Eindhoven, Eindhoven, NLD) ,  GAGLIANO L. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  VON DEN DRIESCH N. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  BUCA D. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  KOENRAAD P.M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  HAVERKORT J.E.M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  BAKKERS E.P.A.M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  BAKKERS E.P.A.M. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 1538-1544  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 13%までのSn量,高い結晶純度,0.465eVでの直接バンドギャップ室温発光をもつGe/GeSnコア/シェルNWアレイの成長を実証した。NWジオメトリにおける98%以上の強化された光吸収は,Ge/GeSnコア/シェルNWアレイをSWIR(短波赤外)で操作する光検出器および熱画像センサーの優れた候補となす。300°Cという極めて低いGeSn NWの成長温度は,SiGeSn系材料の開発を促進する可能性がある。3元SiGeSn化合物の形成により,0.9eVまでの直接バンドギャップ構造の強化された調整が可能となって,1.55μm電気通信インフラの有望な代替を提供する。

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *ゲルマニウム ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  コアシェル構造 ,  *ナノ構造 ,  細線 ,  *光学的性質 ,  短波 ,  光検出器 ,  熱画像 ,  ケイ素化合物 ,  吸収係数 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  赤外域 ,  直接バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 直接バンドギャップ ,  Ge ,  コア ,  シェル ,  ナノワイヤアレイ ,  成長 ,  光学的性質