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J-GLOBAL ID:201702244566811524   整理番号:17A0408198

異なるサイズとその除去機構を持つシリカを用いたサファイアの化学機械的研磨性能の特性化【Powered by NICT】

Characterization of sapphire chemical mechanical polishing performances using silica with different sizes and their removal mechanisms
著者 (15件):
資料名:
巻: 513  ページ: 153-159  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0539B  ISSN: 0927-7757  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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異なるサイズのシリカ粒子を用いたサファイアの化学機械研磨(CMP)性能を研究した。10nmシリカスラリーによるMRRはかなり高い,100nmシリカスラリーによるものに近いことを見いだした。異なるサイズのシリカを用いたサファイアの除去機構を,X線光電子分光法(XPS)および原子間力顕微鏡(A FM)測定により調べた。XPSの結果から,10nmのシリカで研磨した表面は,シリカとサファイアと固体-固体状態反応から生じるケイ酸アルミニウムを示し,100nmのシリカによるものと同じことを明らかにした。原子ステップ平滑表面に及ぼすソフト生成物層の形成と除去に与えるシリカナノ粒子の大きさの影響をA FM分析により研究した。10nmシリカ粒子を表面上のより小さな残留生成物を示すことができ,異なるサイズのシリカ粒子を持つサファイアの反応モデルを提案した。一方,10nmシリカ粒子は0.06nmと直線的原子ステップ端の平滑な表面を実現した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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コロイド化学一般  ,  無機化合物一般及び元素 
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