文献

J-GLOBAL ID：201702244679106976   整理番号：17A0492878

原子層堆積Al₂O₃と(100)InAsの界面におけるバンドオフセットとトラップ関連電子遷移

Band offsets and trap-related electron transitions at interfaces of (100)InAs with atomic-layer deposited Al₂O₃

著者 (10件)： Chou H.-Y. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  O’Connor E. (Tyndall National Institute and Department of Chemistry, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  O’Mahony A. (Tyndall National Institute and Department of Chemistry, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  Povey I. M. (Tyndall National Institute and Department of Chemistry, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  Hurley P. K. (Tyndall National Institute and Department of Chemistry, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland) ,  Dong Lin (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Ye P. D. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Afanas’ev V. V. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  Houssa M. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  Stesmans A. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics, University of Leuven, Leuven, Belgium)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 120  号： 23  ページ： 235701-235701-7  発行年： 2016年12月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *バンドオフセット ,  捕獲 ,  *電子遷移 ,  *酸化アルミニウム ,  *ヒ化インジウム ,  *界面 ,  光電流 ,  単結晶 ,  非晶質 ,  光電子放出 ,  アルミナ ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  化合物半導体 ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： 界面層 ,  外方拡散 ,  *原子層堆積 ,  電子注入 ,  変位電流

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  InAs ,  界面 ,  バンドオフセット ,  トラップ ,  電子遷移