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J-GLOBAL ID：201702247731101387   整理番号：17A0335398

C₄F₄/Ar誘導結合プラズマを用いた溶融石英の深部ドライエッチング

Deep dry etching of fused silica using C₄F₈/Ar inductively coupled plasmas

著者 (11件)： LIN Laicun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIN Laicun (National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN) ,  JING Xiangmeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JING Xiangmeng (National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN) ,  LIU Fengman (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Fengman (National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN) ,  YIN Wen (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YIN Wen (National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN) ,  YU Daquan (National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN) ,  CAO Liqiang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CAO Liqiang (National Center for Advanced Packaging (NCAP), Wuxi, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 1  ページ： 480-486  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直交実験法に基づく誘導結合プラズマドライエッチングによって溶融石英上にブラインドバイアを作製した。オクタフルオロシクロブタン(C₄F₄)フラックスはエッチング速度の主因であり,C₄F₄/Arの混合比を増すとバイア側壁を垂直にでき,0.75μm/分超のエッチングではバイア表面は非常に滑らかにできた。基板温度を高くすると垂直バイアを形成でき,Al微小マスクの再堆積によるバイア底面上の微小柱を除去できた。溶融石英の深部エッチ高密度バイアの輪郭は良好であった。

シソーラス用語： *誘導結合プラズマ ,  *ドライエッチング ,  *石英ガラス ,  バイアホール ,  加工速度 ,  アルゴン ,  混合比 ,  輪郭 ,  フォトレジスト ,  *フォトリソグラフィー ,  アルミニウム ,  半導体プロセス ,  電子顕微鏡観察 ,  速度依存性 ,  脂肪族フッ素化合物
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  走査型電子顕微鏡法 ,  溶融石英

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

物質索引 (1件)： オクタフルオロシクロブタン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ar ,  誘導結合プラズマ ,  溶融石英 ,  深部 ,  ドライエッチング