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J-GLOBAL ID:201702248023355765   整理番号:17A0069726

化学蒸着法により,サファイア基板上に大面積の高品質の単層ジスルフィドを成長させることができた。【JST・京大機械翻訳】

Controllable Synthesis of High Quality Monolayer WS_2 with Large Size on Sapphire Substrate by Chemical Vapor Deposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 984-989  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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単層WS_2を常圧条件下でCVD法により成長させ,実験条件を変えることにより結晶粒サイズを制御し,薄膜を成長させることを目的とした。光学顕微鏡、ラマン、光ルミネセンススペクトルなどを用いて、調製したサンプルを特性化し、結晶の質が高く、サイズが120ΜMの単層WS_2結晶を得た。同時に,温度,成長時間,およびタングステンの量が,単層WS_2の成長に及ぼす影響について議論した。結果は以下を示す。温度はCVD成長WS_2に最も影響し,高温は高結晶品質のWS_2の成長に寄与した。成長時間を調整することは,WS_2結晶粒のサイズを制御することができ,長時間で連続した薄膜を成長させることができた。過剰なS蒸気はWS_2の成長を阻害し,結晶品質に影響した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
変態組織,加工組織  ,  その他の無機化合物の薄膜 

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