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J-GLOBAL ID：201702249034656641   整理番号：17A0407307

n-CdSe NR/p Siヘテロ接合に基づく2端子不揮発性抵抗スイッチング記憶素子【Powered by NICT】

Two-terminal nonvolatile resistive switching memory devices based on n-CdSe NR/p-Si heterojunctions

著者 (7件)： Wu Di (Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China) ,  Xu Tingting (Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China) ,  Shi Zhifeng (Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China) ,  Tian Yongtao (Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China) ,  Li Xinjian (Department of Physics and Engineering, and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, PR China) ,  Yu Yongqiang (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui 230009, PR China) ,  Jiang Yang (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui 230009, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 1653-1657  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-CdSeナノリボン(NR)/Siヘテロ接合に基づく二端子不揮発性抵抗スイッチング(RS)メモリ素子を作製した。これらの記憶素子は六桁の大きさを超える高電流ON/OFF比をもつ優れたメモリ特性,10~4s以上の長い保持時間,および6か月間良好な耐久性を示した。容量-電圧(C V)測定は,界面酸化物層中の電子トラップと脱離過程を確認するために行った。メモリ素子と簡単な処理技術の高性能は,一次元ナノ材料のメモリ応用のための新しい機会を提供するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  ナノ材料 ,  保持時間 ,  *ヘテロ接合 ,  耐久性 ,  *非揮発性 ,  脱着 ,  電圧 ,  *記憶素子 ,  一次元 ,  記憶装置 ,  *セレン化カドミウム
準シソーラス用語： 酸化物層 ,  ナノリボン ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CdSeナノリボン ,  ヘテロ接合 ,  抵抗スイッチング ,  記憶デバイス

分類 (9件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  ランダム系一般  (BM06081C) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  腐食  (WB03030B) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdSe ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  不揮発性 ,  抵抗スイッチング ,  記憶素子