文献

J-GLOBAL ID：201702249209500834   整理番号：17A0289444

有限要素法による35nm径のTiN下部電極を持つ相変化ランダムアクセスメモリのシミュレーション

Simulation of Phase-Change Random Access Memory with 35nm diameter of the TiN bottom electrode by Finite Element Modeling

著者 (18件)： JIN Qiuxue (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  JIN Qiuxue (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Bo (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Yan (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Heng (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Heng (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Zhen (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  XU Zhen (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GAO Dan (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  GAO Dan (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Qing (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Qing (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XIA Yangyang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  XIA Yangyang (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Weiwei (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Weiwei (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  FENG Songlin (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9818  ページ： 98180K.1-98180K.5  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,相変化型ランダムアクセスメモリ(PCRAM)は,不揮発性,低消費電力,高速,単純なセル構造,および相補型金属-酸化膜-半導体(CMOS)との良好な製造適合性を特徴とする,次世代メモリ技術の有望な候補であると考えられている。本研究では,40nmプロセスにおけるPCRAMセルの製造に,高度に適合した3次元有限要素モデルを確立し,RESET動作中の電気的および熱的分布を調査した。40nmプロセスにおけるPCRAMセルの製造に高度に合致する,マッシュルーム構造(MS)セルのための3次元有限要素モデルが確立され,RESET動作中の熱的および電気的分布をシミュレートした。MSセルにおける熱分布および電気的分布が分析された。RESET動作中のMSセルの電流パルスに対する,セル抵抗Rの依存性を調査した。最高温度はTiN底部電極接触器で観察され,TiN底部電極の電圧は全電圧の65%と高かった。それは高いRESET電流を誘発するため,MSの熱電導度がRESETプロセスにおける加熱効率を改善する上で重要であることを示唆している。RESET電流のシミュレーション結果とRESET動作時の高抵抗分布は,実験測定のデータに近い値であった。

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *電極 ,  *PRAM【メモリ】 ,  CMOS ,  適応性 ,  分布 ,  *電気抵抗
準シソーラス用語： *有限要素法シミュレーション ,  TiN ,  裏面電極 ,  相変化RAM ,  熱分布

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  電気接点  (NA05070V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有限要素法 ,  TiN ,  相変化 ,  ランダムアクセスメモリ ,  シミュレーション