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J-GLOBAL ID：201702250578025256   整理番号：17A0325230

低電流,高耐久性チタンニオブ酸化物メモリスタの空間的に一様な抵抗スイッチング【Powered by NICT】

Spatially uniform resistance switching of low current, high endurance titanium-niobium-oxide memristors

著者 (9件)： Kumar Suhas (Hewlett Packard Labs, 1501 Page Mill Rd, Palo Alto, CA 94304, USA. [e-mail] [e-mail]) ,  Davila Noraica ,  Wang Ziwen ,  Huang Xiaopeng ,  Strachan John Paul ,  Vine David ,  David Kilcoyne A. L. ,  Nishi Yoshio ,  Stanley Williams R.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 5  ページ： 1793-1798  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロメータスケールチタンニオブ酸化物プロトタイプメモリスタ,低い書込みパワー(<3 μW)とエネルギー(<200fJ/ビット当たりμm~2),低い読出しパワー(~nW),および優れた耐久性(>百万サイクル)を示したを分析した。物理化学的動作機構を理解するために,著者らは超高感度時間多重化技術を用いたオペランドシンクロトロンX線透過ナノスケール分光顕微鏡法を行った。電池運転中の空間的に均一な材料変化のみが観察され,遷移金属-酸化物メモリスタにおける局在伝導チャネルの頻繁に検出された形成と鋭い対照的であった。も不揮発性貯蔵(抵抗変化)と情報の書込み(電圧とJoule加熱の応用)明らかに割り当てられたスペクトル特徴の応答。これらの結果は,デバイス設計,スケーリングと予測回路モデリングの成功するメモリスタ応用の広範な展開に必須で支援する高性能メムリスタへの重要な洞察を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化物 ,  *耐久性 ,  モデリング ,  *チタン ,  抵抗加熱 ,  非揮発性 ,  *酸化ニオブ ,  顕微鏡観察 ,  ナノスケール ,  *抵抗スイッチング
準シソーラス用語： デバイス設計 ,  抵抗変化 ,  超高感度 ,  読出し ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  光学情報処理  (BD03060T) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高耐久性 ,  チタンニオブ酸化物 ,  メモリスタ ,  抵抗スイッチング