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J-GLOBAL ID:201702253411973623   整理番号:17A0412390

卵殻を用いて作製した大きな不揮発性バイポーラ抵抗スイッチングメモリ挙動【Powered by NICT】

A larger nonvolatile bipolar resistive switching memory behaviour fabricated using eggshells
著者 (9件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 235-239  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子は近将来の不揮発性情報貯蔵のための有望な候補として出現した。,食品廃棄物,卵殻は今日を持続的に焦点を当て,リサイクルされていない。卵殻ベースデバイスは~10~3の抵抗比,~3.5Vの大きなメモリウィンドウ,および優れた耐久性と保持性能を持つ大きな抵抗スイッチング(RS)メモリ挙動を示した。トップと底部電極間金属伝導フィラメントの形成と破壊を含むレドックスに基づくAgフィラメントモデルは大きな不揮発性バイポーラRSメモリ挙動を解釈するために提案した。この発見は,次世代不揮発性データ記録装置における環境に優しい,低コストで持続可能な材料の応用の可能性を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
薄膜一般  ,  炭素とその化合物 

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