文献

J-GLOBAL ID：201702253547357140   整理番号：17A0581003

Pt/Pt/Ta₂O₅/HfO_2-x/Hfスタックに於ける超低スイッチング電流を有する自己整流性抵抗スイッチングメモリ

Self-Rectifying Resistive Switching Memory with Ultralow Switching Current in Pt/Ta₂O₅/HfO_2-x /Hf Stack

著者 (8件)： MA Haili (Shanghai Jiao Tong Univ.) ,  FENG Jie (Shanghai Jiao Tong Univ.) ,  LV Hangbing (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  GAO Tian (Shanghai Jiao Tong Univ.) ,  XU Xiaoxin (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  LUO Qing (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  GONG Tiancheng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  YUAN Peng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:118 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,Pt/Ta₂O₅/HfO_2-x/Hf構造を有する2層抵抗スイッチングメモリ素子を研究した。本メモリは,1μA以下の超低動作電流,スイッチング電圧の中央値,適切なON/OFF比を示し,優れた自己整流特性を同時に備えている。単一のHfO_2-x構造を有するサンプルは,低抵抗状態で対称的I-V曲線を有する双方向メモリスイッチング特性を示した。HfO_2-x層上に厚さ28nmのTa₂O₅層を導入した後,自己整流現象が現れ,±0.5Vで最大自己整流比(RR)が約4×10³で観測された。電池の直列抵抗であることは別として,Ta₂O₅整流層は,又,スイッチングサイクル全体で無傷のままの酸素リザーバとして機能した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *電流 ,  *酸化ハフニウム ,  タンタル化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  整流 ,  貯槽
準シソーラス用語： *HfO2 ,  TaON ,  *スイッチング電流 ,  整流作用 ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  電解質リザーバ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pt ,  Ta2O5 ,  HF ,  スタック ,  スイッチング電流 ,  自己 ,  整流 ,  抵抗スイッチングメモリ