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J-GLOBAL ID：201702253604265274   整理番号：17A0214198

(TSV)技術によるによるシリコンにより可能になった垂直チャネルデバイス【Powered by NICT】

Vertical channel devices enabled by through silicon via (TSV) technologies

著者 (15件)： Kothandaraman C. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Rosenblatt S. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Safran J. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Oldiges P. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Kulkarni-Kerber P. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Xumalo J. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Landers W. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Liu J. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Oakley J. A. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Butt S. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Graves-Abe T. L. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Robson N. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Farooq M. G. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Berger D. (GLOBALFOUNDRIES Inc, Hopewell Junction, NY, USA) ,  Iyer S. S. (Dept. Electrical and Computer Engineering, UCLA, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 9.6.1-9.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TSVによるゲート垂直チャネルを持つ新しいデバイス構造を実証した。ユニークな素子構造は標準TSVプロセスフローでは,新しい材料システムまたはプロセスなしである。TSVプロセスを特性化の両方に使用できるだけでなく,新しい機能を可能にすることができる。製品設計現場モニタリングを可能にしながら,に容易に統合できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 製品設計 ,  素子構造 ,  キャラクタリゼーション ,  *ケイ素

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： TSV ,  シリコン ,  垂直チャネル