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J-GLOBAL ID：201702254079640693   整理番号：17A0402541

高アスペクト比と低漏れ電流炭素ナノシートはエネルギー貯蔵応用のための高kナノ構造【Powered by NICT】

High aspect ratio and low leakage current carbon nanosheets based high-k nanostructure for energy storage applications

著者 (5件)： Qaid Mohammad (KACST-Intel Consortium Center of Excellence in Nano-Manufacturing Applications (CENA), Riyadh, Saudi Arabia) ,  Qaid Mohammad (Department of Physics, Taiz University, Taiz, Yemen) ,  Qaid Mohammad (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh 11451, Saudi Arabia) ,  Alsalhi M.S. (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh 11451, Saudi Arabia) ,  Alsalhi M.S. (Laser Diagnosis of Cancers, College of Science, King Saud University, Riyadh 11451, Saudi Arabia)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 169  ページ： 1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノシート(CNS)は非常に低い漏れ電流密度を持つチタン酸ストロンチウム(STO)構造を高アスペクト比を作製するために利用した。CNSはTiN被覆Siウエハの70nm層上に化学蒸着(CVD)により成長させた。原子層蒸着(A LD)は,フットプリント当り高表面積を持つ共形STO層を得るために3D CNS上にSrリッチSTOの共形堆積法として採用した。CNSから生じる面積増大は共形堆積Al_2O_3薄膜に基づくTINブランケットのための電気化学インピーダンス分光法(EIS)およびCNS,電極を用いて調べた。ブランケットTiN/Al_2O_3キャパシタから得られたものとCNS/Al_2O_3キャパシタから生じた容量増強を比較した。著者らの発見は,EISは異なるナノ構造の面積増加を推定するための非常に有望であることを示した。電気化学的分光法はCNSに基づく電気化学キャパシタの典型的なキャパシタ挙動を示した。さらに,CNS/STOベース金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタのための固体電気特性は電位窓[0V,V]を介して強い破壊と優れた面積スケーリングと非常に低い漏れ電流密度を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面積 ,  絶縁材料 ,  ブランケット ,  電気化学 ,  チタン酸ストロンチウム ,  三次元 ,  コンデンサ ,  *ナノ構造 ,  *漏れ電流 ,  *ナノシート ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電気化学キャパシタ ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  窒化チタン ,  漏れ電流密度 ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭素ナノシート ,  3次元struntiumチタン酸 ,  EIS ,  スーパーキャパシタ ,  地域増強 ,  高アスペクト比材料

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高アスペクト比 ,  漏れ電流 ,  炭素ナノシート ,  エネルギー貯蔵 ,  応用 ,  ナノ構造