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J-GLOBAL ID：201702254690424386   整理番号：17A0412375

ドープしたシリコン底電極を用いたW/Si-3N_4/Siメモリ素子の単極抵抗スイッチング特性【Powered by NICT】

Unipolar resistive switching characteristics of W/Si₃N₄/Si memory devices with doped silicon bottom electrodes

著者 (2件)： Kim Sungjun (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Park Byung-Gook (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 2  ページ： 146-151  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,完全にCMOS互換W/Si_3N_4/Si構造の単極抵抗スイッチング特性に及ぼす二種の異なるドーパント(nとp型半導体)の影響を報告した。W/Si_3N_4/p~+Siデバイスは穏やかなリセット遷移をdisplaid,W/Si_3N_4/n~+Siデバイスは,急激なリセットスイッチングを示した。デバイスの異なるリセットスイッチング挙動は,セットスイッチング,セットおよびリセット電圧,セット及びリセット電流,高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)の抵抗のような抵抗スイッチングパラメータ間の統計的関係により実験的に実証した直前のそれらの異なる性質によって説明することができる。デバイスの異なるリセットスイッチング特性は,リセットスイッチング直前LRSへの導電性経路の動力学によって明らかにした。W/Si_3N_4/p~+Siデバイスは,低リセット電流を持つ緩やかな遷移のために,W/Si_3N_4/n~/n+-Siへの優れた抵抗スイッチング性能を示した。最後に,多重レベルスイッチング,高密度メモリにおける応用に対して魅力的であることを示し,リセット電圧を変化させることにより。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  ドーパント ,  *記憶素子 ,  半導体 ,  導電性 ,  窒化ケイ素 ,  電圧 ,  多重化 ,  *ドーピング ,  CMOS
準シソーラス用語： ReRAM ,  高密度 ,  *抵抗スイッチング ,  リセット電流 ,  *スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM) ,  窒化けい素(Si_3N_4) ,  メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  シリコン ,  Si ,  メモリ素子 ,  極 ,  スイッチング特性