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J-GLOBAL ID：201702256921583943   整理番号：17A0551829

ブロードバンド光吸収性のInGaN光アノードのインプリント援助パターニングおよびZnOナノワイヤ成長によるエネルギー変換

Broadband light-absorption InGaN photoanode assisted by imprint patterning and ZnO nanowire growth for energy conversion

著者 (11件)： KANG Junjie (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  DANG Vinh Quang (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LI Hongjian (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MOON Sungjin (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LI Panpan (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  KIM Yangdoo (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Chaehyun (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Jinyoung (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Hakjong (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LIU Zhiqiang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LEE Heon (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 4  ページ： 045401,1-7  発行年： 2017年01月27日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001)基板上にMOCVDによりIn_0.2Ga_0.8N/GaN多重量子井戸/pAlGaN電子遮蔽層からなる積層構造を成長させた。ドームアレイパターンを形成したポリジメチルシロキサン(PDMS)スタンプ表面にシルセスキオキサン層を形成し,量子井戸積層構造の表面にパターンを転写した。湿式エッチング処理により表面欠陥を除去し,酸化亜鉛ナノワイヤを表面に成長させた。走査電子顕微鏡,光ルミネセンススペクトル,X線回折,紫外可視吸収/透過/反射スペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。クロム/白金/金電極を形成し,硫酸ナトリウム水溶液電解質との組合せにより光起電力素子を作製し,光アノード特性を検討した。300~400nm領域の吸収率が顕著に増強され,1.23V(vs RHE)において光電流密度0.17mA/cm²を達成した。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  アノード ,  *光電極 ,  *電極材料 ,  *表面構造 ,  *ナノ構造 ,  リソグラフィー ,  ポリジメチルシロキサン ,  *パターン形成 ,  水溶液 ,  電解質溶液 ,  硫酸ナトリウム ,  金電極 ,  *光起電素子 ,  光電気化学 ,  光吸収スペクトル ,  光電流 ,  電流密度 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  *太陽電池
準シソーラス用語： PDMS【重合体】 ,  インプリントリソグラフィー ,  光アノード ,  光起電力素子 ,  窒化インジウムガリウム ,  電解質水溶液 ,  電極特性

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： ブロードバンド ,  光吸収性 ,  InGaN ,  光アノード ,  援助 ,  パターニング ,  ZnOナノワイヤ ,  成長 ,  エネルギー変換