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J-GLOBAL ID：201702256936415623   整理番号：17A0661923

InGaAs/GaAsヘテロ構造中の転位とミスフィット歪緩和との関係【Powered by NICT】

Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures

著者 (10件)： Li Jinping (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, P. R. China. [e-mail]) ,  Miao Guoqing ,  Zeng Yugang ,  Zhang Zhiwei ,  Li Dabing ,  Song Hang ,  Jiang Hong ,  Chen Yiren ,  Sun Xiaojuan ,  Li Zhiming
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 1  ページ： 88-92  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大格子不整合ヘテロ構造In_0 0.78Ga_0 22GaAsは低温(LT)InGaAsバッファで成長させた。ミスフィット転位配列はLT buffer/GaAs界面で観察された。透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて,ヘテロ界面の微細構造を調べるために用いた。界面での不整合転位と歪緩和の関係を解析した。歪再分布は異なる試料の界面構造と不整合ひずみ緩和の不一致を生じさせることが分かった。実験結果は結論を支持する,提案した解析を確認した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ミスフィット ,  *緩和現象 ,  不整合転位 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  微細構造 ,  界面 ,  *ヒ化ガリウム ,  再分布 ,  格子不整合 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 不整合歪 ,  界面構造 ,  ヘテロ界面 ,  *歪緩和 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  転位 ,  ミスフィット ,  歪緩和