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J-GLOBAL ID：201702256998289609   整理番号：17A0253766

AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの金ベースおよび金フリーOhm接触の形成機構

Formation mechanism of gold-based and gold-free ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors

著者 (7件)： Shriki A. (Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Winter R. (Department of Material Science and Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Calahorra Y. (Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Kauffmann Y. (Department of Material Science and Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Ankonina G. (Department of Material Science and Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Eizenberg M. (Department of Material Science and Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Ritter D. (Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 6  ページ： 065301-065301-5  発行年： 2017年02月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *Ohm接触 ,  機構 ,  *金電極 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線分光法 ,  焼なまし ,  窒化アルミニウム ,  電流電圧特性 ,  二次イオン質量分析 ,  *電極材料 ,  素子構造 ,  TOF-SIMS ,  ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  形成機構 ,  *電界効果トランジスタ ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  金 ,  Ohm接触