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J-GLOBAL ID：201702257004279838   整理番号：17A0203801

InAlAs上の原子層蒸着したAl_2O_3とHfO_2:界面構造及び電気特性の比較研究【Powered by NICT】

Atomic-layer-deposited Al_2O_3 and HfO_2 on InAlAs: A comparative study of interfacial and electrical characteristics

著者 (4件)： Wu Lifan (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Lv Hongliang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yimen (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 108101-1-108101-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_2O_3とHfO_2薄膜を原子層堆積(A LD)を用いてn型InAlAsエピタキシャル層上に堆積した別々に行った。界面特性を角度分解X線光電子分光法(AR XPS)により明らかにした。Al_2O_3層が界面の酸化と捕獲電荷の形成を減少させることができることを実証した。ゲート漏れ電流密度は,それぞれAl_2O_3/InAlAsとHfO_2/InAlAs MOSキャパシタの+1Vで1.37×10 ( 6)cm 2と3.22×10( 6)cm 2であった。HfO_2/InAlAs金属-酸化物-半導体(MOS)キャパシタと比較して,Al_2O_3/InAlAs MOSキャパシタは,ゲート漏れ電流を低減し,ヒステリシスループを絞り込み,theC V特性の延伸収縮,酸化物トラップ電荷(Q(OT))値と界面状態密度(D(it))を顕著に低減することに良好な電気的性質を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  コンデンサ ,  延伸 ,  *界面 ,  酸化物
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  界面状態密度 ,  ヒステリシスループ ,  ゲート漏れ電流 ,  捕獲電荷 ,  界面特性 ,  エピタキシャル層 ,  *比較研究 ,  *界面構造 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高k誘電体 ,  原子層堆積 ,  InAlAs ,  特性

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAlAs ,  原子層蒸着 ,  界面構造 ,  電気特性 ,  研究