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J-GLOBAL ID：201702257212292009   整理番号：17A0142325

抵抗変化型不揮発性メモリ特性評価のためのFPGAに基づく操作システム【Powered by NICT】

An FPGA-based manipulation system for ReRAM characterization

著者 (6件)： Xing Jinling (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China) ,  Li Qingjiang (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China) ,  Li Jiwei (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China) ,  Wang Wei (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China) ,  Liu Haijun (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China) ,  Xu Hui (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, P. R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： 3M-NANO  ページ： 31-34  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ReRAMは将来の不揮発性高密度メモリのための有望な候補であるが,電気的キャラクタリゼーションの進歩は,一般的な半導体特性評価手段の不足により妨げられるかもしれない。ここでは,ユーザフレンドリなFPGAベース解析システムを紹介し,スタンドアロンまたはクロスバーのいずれかアレイにおけるマルチレベル抵抗変化型不揮発性メモリ素子の電気的特性評価を容易にするためにパワーツールを提供することを目的とした。ハードウェアとソフトウェアの詳細設計は同一システムの開発のための設計基準を提供する目的のために提示した。実験結果は,このシステムが100Ω~1MΩの抵抗範囲で最大1.5%読取誤差を達成できることを示した。に加えて,システムは,ReRAMデバイスの過渡変化を捕捉し,複雑な抵抗チューニングアルゴリズムを採用することにより,クロスバーアレイにおける素子抵抗を操作するその能力を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *非揮発性 ,  設計基準 ,  ハードウェア ,  *記憶装置 ,  *FPGA ,  *不揮発性メモリ ,  詳細設計 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 読取誤差 ,  マルチレベル ,  ユーザフレンドリ性 ,  高密度 ,  ReRAM ,  *抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗変化 ,  不揮発性メモリ ,  特性評価 ,  FPGA ,  操作システム