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J-GLOBAL ID:201702257301990121   整理番号:17A0704454

TiO_2@SiO_2/APTESの高UV遮蔽能力と下部光触媒活性とポリ(p-フェニレンスルフィド)の光安定性の増強におけるその優れた性能【Powered by NICT】

Higher UV-shielding ability and lower photocatalytic activity of TiO2@SiO2/APTES and its excellent performance in enhancing the photostability of poly(p-phenylene sulfide)
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巻:号: 35  ページ: 21758-21767  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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U TiO_2を成功裏にSiO_2で被覆し,その後,APTESにより修飾されると,コア-シェル構造はTiO_2ナノ粒子の凝集を減少させる大きくTiO_2@SiO_2とTiO_2@SiO_2/APTES,上に存在する。U TiO_2,TiO_2@SiO_2,とTiO_2@SiO_2/APTESの光触媒活性をメチレンブルー(MB)の分解を用いて評価した。MBの約50%はUV照射(300 W)下でU TiO_2の存在下で,15分後に分解し,MBの僅か17.44%と4.18%がTiO_2@SiO_2~0.6,TiO_2@SiO_2/APTESの存在において分解される。TiO_2@SiO_2/APTES0.6,TiO_2@SiO_2~,0.2は優れたUV吸収能を示し,TiO_2@SiO_2/APTESではU TiO_2のUV遮蔽能力の80%を達成した。ポリ(p-フェニレンスルフィド)(PPS)は容易に光分解された材料であり,TiO_2/PPSであるPPSより著しく光分解が,TiO_2@SiO_2/APTESナノ粒子はPPSを保護するUV分解から,PPSマトリックス中でのそれらの低い光触媒活性,高いUV遮蔽能と分散が容易であることによることができる。1wt%TiO_2@SiO_2/APTES/PPS膜の破断強度保持率は38.26%の最大増加を示し,破断伸び保持率は2wt%TiO_2@SiO_2/APTES負荷で41.64%増加した。これらの結果は,TiO_2@SiO_2/APTESナノ粒子PPSマトリックス中への取り込みは,PPSマトリックスに優れた抗UV特性を,機械的性能改善をもたらすことを明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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光化学一般 
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