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J-GLOBAL ID：201702257320728432   整理番号：17A0591677

薄型ポリSi浮体MOSFETの結晶粒界における正孔捕獲現象およびキャパシタレスDRAMへの応用

Hole Trapping Phenomenon at the Grain Boundary of Thin Poly-Si Floating-Body MOSFET and Its Capacitor-Less DRAM Application

著者 (5件)： BAEK Myung-Hyun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sang-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Dae Woong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SEO Joo Yun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 2986-2990  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコン極薄浮体MOSFETの結晶粒界における正孔捕獲現象を検討し,この現象のDRAMへの応用可能性を考察する。ゲートバイアス電圧とドレイン矩形電圧パルスに対するドレイン電流の応答を,TCADシミュレーションと実験によって検討した。その結果,ドレインパルス後80μsecに渡ってドレイン電流は以前の値に戻ることが分かった。この現象は,キャパシタレスDRAMのメモリ機構として利用可能である。

シソーラス用語： *DRAM ,  *MOSFET ,  ポリシリコン ,  超薄膜 ,  結晶粒界 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： 正孔捕獲

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 薄型 ,  ポリSi ,  浮体 ,  MOSFET ,  結晶粒界 ,  正孔捕獲 ,  現象 ,  DRAM ,  応用