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J-GLOBAL ID：201702257373994000   整理番号：17A0329124

TSVの結合MOS容量の安定化と利用【Powered by NICT】

Stabilization and utilization of coupling MOS capacitance between TSVs

著者 (5件)： Fang Runiu (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Liu Huan (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Miao Min (Information Microsystem Institute, Beijing Information Science and Technology University, Beijing, China) ,  Sun Xin (Academy of Information Science Innovation, China Electronics Technology Group Corporation, Beijing, China) ,  Jin Yufeng (Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 347-350  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンビア(TSV)は,将来の3D集積回路を実現する際の鍵である。MOS(金属-酸化物-半導体)効果のために,TSVの間の結合コンデンサは,実際には異なるシグナル/パワー電圧下でバラクタ。本論文では,異なるシステムのためのTSVバラクタの安定化と利用についての議論を提供する。ディジタルシステムでは,TSVキャパシタンスは動作電圧内で安定であることを確保することが重要である。,提案し比較TSV結合容量を安定化する異なる方法。再構成可能システムのために,可変コンデンサとしてTSVバラクタの可能性は,TSV対を用いた電圧制御可変同調低域フィルタを設計することにより実証した。基板のドーピングプロファイルは,TSVバラクタの妥当な品質因子を維持するために修正した。シミュレーションの結果は,フィルタは1VでOVで2.23GHzから1.85GHzから2.04GHzに中心±9%の同調範囲をもたらす遮断周波数を持つことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 可変コンデンサ ,  コンデンサ ,  静電容量 ,  遮断周波数 ,  電圧制御 ,  電圧 ,  低域フィルタ ,  *可変容量ダイオード ,  ディジタル系 ,  三次元
準シソーラス用語： 同調範囲 ,  品質因子 ,  可変同調 ,  再構成可能システム ,  シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： TSV ,  MOS ,  安定化