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J-GLOBAL ID：201702257430952811   整理番号：17A0118283

化学センサ応用のためのN型GaNおよびN型InP多孔質構造の電気化学的形成【Powered by NICT】

Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications

著者 (5件)： Sato Taketomo (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan) ,  Zhang Xiaoyi (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan) ,  Ito Keisuke (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan) ,  Matsumoto Satoru (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan) ,  Kumazaki Yusuke (Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型GaNとn型InP多孔質構造に基づく液相センサの実現可能性を検討した。H_2O_2の添加に対する応答電流は多孔質電極で増加した。多孔質チャネルを有するイオン感応性電界効果トランジスタのソース-ドレイン電流はpH値に対して良好な応答とともに変化した。イオンへの二種類の化学センサの感度は良好な導電性と大きな表面積を有する多孔質構造の実行することによって劇的に向上した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気化学 ,  表面積 ,  多孔質電極 ,  *窒化ガリウム ,  液相 ,  *多孔性 ,  *リン化インジウム ,  イオン ,  *センサ ,  チャネル ,  導電性 ,  電流 ,  *化学センサ
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *多孔構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学センサ ,  応用 ,  GaN ,  InP ,  多孔質構造 ,  電気化学