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J-GLOBAL ID：201702261825245289   整理番号：17A0214274

将来電力スイッチングシステムのためのGaN系半導体デバイス【Powered by NICT】

GaN-based semiconductor devices for future power switching systems

著者 (11件)： Ishida Hidetoshi (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Kajitani Ryo (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Kinoshita Yusuke (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Umeda Hidekazu (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Ujita Shinji (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Ogawa Masahiro (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Tanaka Kenichiro (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Morita Tatsuo (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Tamura Satoshi (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Ishida Masahiro (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan) ,  Ueda Tetsuzo (Panasonic Corporation, 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi-shi, Osaka 570-8501, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 20.4.1-20.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造上のp型ゲートを持つGaN系自然超接合ダイオードとゲート注入トランジスタ(GIT)は,パワースイッチング応用のための低いオン状態抵抗と高い絶縁破壊電圧を持つ有望な発電デバイスである。本論文では,集積回路用デバイスと電力交換システムへの応用の現状をレビューし,オン抵抗を低下させ,破壊電圧を増加させ,電流崩壊を抑制するための基本技術を説明した。添加では,より小さなシステムサイズのGITのスイッチング周波数を向上するための解決策について述べた。短ゲート長とゲート駆動回路,高圧側GITと低側GITのDC/DCコンバータの集積回路の影響についても調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： DC-DCコンバータ ,  集積回路 ,  オン抵抗 ,  ゲート回路 ,  *窒化ガリウム ,  接合ダイオード ,  高圧 ,  *半導体素子 ,  *電力
準シソーラス用語： ゲート長 ,  スイッチング周波数 ,  絶縁破壊電圧 ,  オン状態 ,  ヘテロ構造 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチングシステム ,  GaN ,  半導体デバイス