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J-GLOBAL ID：201702262205084410   整理番号：17A0599016

InGaZnO薄膜トランジスタの電気特性と信頼性に及ぼす窒素および水素共ドーピングの影響

Effects of Nitrogen and Hydrogen Codoping on the Electrical Performance and Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors

著者 (13件)： ABLIZ Ablat (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  GAO Qingguo (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WAN Da (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LIU Xingqiang (Hunan Univ., Changsha, CHN) ,  XU Lei (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LIU Chuansheng (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  JIANG Changzhong (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LI Xuefei (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  CHEN Huipeng (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  GUO Tailiang (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  LI Jinchai (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LIAO Lei (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LIAO Lei (Hunan Univ., Changsha, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 12  ページ： 10798-10804  発行年： 2017年03月29日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究ではInGaZnO(α-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性に及ぼす窒素と水素(N/H)プラズマ処理の影響を調査した。結果は,45.3cm²の電界効果移動度,10⁸のオン/オフ電流比,および1.7Vの閾値電圧を含む,電気特性を著しく改善したことを示した。加えて,α-IGZO:N/H(200s)素子はまたα-IGZO素子より良い安定性を示した。XPSの結果により,これらの特性は,α-IGZO膜の酸素空孔欠陥を有効に不動態体化する主にN/Hプラズマ処理に帰した。さらに,低周波雑音解析に基づきα-IGZO:N/H素子の正規化ドレイン電流雑音スペクトル密度をα-IGZO素子と比較して低減し,これはα-IGZO/SiO₂界面近くの平均トラップ密度をN/Hプラズマ処理で減少したことを示した。全体的に,高い電気特性と信頼性を有するα-IGZO:N/H素子は将来の高分解能フラットパネルディスプレイの各種応用に使用できた。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *電気特性 ,  ドーピング ,  *信頼性 ,  低周波雑音 ,  プラズマ処理 ,  キャリア移動度 ,  空孔欠陥 ,  トラップ密度 ,  *共ドーピング ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  電気特性 ,  窒素 ,  水素 ,  共ドーピング