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J-GLOBAL ID:201702266248297651   整理番号:17A0048036

バイポーラ電荷輸送モデルに基づく低エネルギー電子線照射PTFEのシミュレーション

Simulation of low-energy electron beam irradiated PTFE based on bipolar charge transport model
著者 (5件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 3016-3025  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0578A  ISSN: 1070-9878  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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宇宙グレード絶縁材料の電荷輸送特性に関する研究が,それが宇宙船の安全運航に密接に関係しているために,近年,盛んになっている。本稿において筆者らは,電荷担体再捕獲および正孔注入を考慮して,バイポーラ電荷輸送モデルを使用した低エネルギー電子線照射の下でのPTFEの表面荷電および空間電荷蓄積特性をシミュレートした。シミュレーションのためのパラメータは実験及び過去の研究に基づいた。いろいろな一次電子エネルギーの電子線により照射されたPTFEの二次電子収率を計測し,そして実験データを経験式に当てはめた。熱励起電流を測定し,PTFEの捕獲パラメータを電流-温度曲線から立ち上がり法により解析した。空間電荷分布および定常状態の表面電位を検討するために,一次電子エネルギー,試料厚,温度および捕獲密度のような因子を変数として別々に選択した。定常表面電位は一次電子エネルギーに対してほぼ線形であり,それはまた実験結果に合うことが判明した。シミュレーション結果は,試料厚は表面電位の荷電率に大体影響し,そして荷電率は薄い試料においてより遅いことを示している。定常表面電位は温度が高くない場合にはわずかに変動するが,温度が400K以上のときは著しく増加する。捕獲密度の増加とともに,空間電荷蓄積は表面および絶縁体/電極界面に集中する傾向にあり,定常表面電位は低下する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
分類
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高分子固体の物理的性質  ,  電気絶縁材料 

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