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J-GLOBAL ID：201702266269447244   整理番号：17A0759464

4H-SiC垂直JFETの動作に及ぼすチャネル幅の効果【Powered by NICT】

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs

著者 (8件)： Vamvoukakis K. (MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece) ,  Stefanakis D. (MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece) ,  Stavrinidis A. (MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece) ,  Vassilevski K. (School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University, Newcastle upon Tyne, NE1 7RU, UK) ,  Konstantinidis G. (MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece) ,  Kayambaki M. (MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece) ,  Zekentes K. (MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece) ,  Zekentes K. (Universite Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, 38000, Grenoble, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600452  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC JFETはスイッチング素子の最低の全体的損失を有し,400°C以上の温度で作動することができる。異なる接合形電界効果トランジスタ(JFET)の設計では,それは最低のオン抵抗を持つ可能性があるので,溝および注入(TI)ゲート垂直JFET(TI VJFET)は非常に魅力的であるとその製作はエピタキシャル被覆成長または多重角度注入を必要としない。はわずか四リソグラフィーステップを含む4H-SiC TI VJFETはプロセスの複雑さを大幅に低減するプロセスシーケンスを用いた自己整合ニッケルケイ化物ソースとゲート接触を用いて作製した。,チャネル幅,チャネル長,とメサ高さを含む,異なる設計因子を考察した。電気特性に及ぼすチャネル形状の影響を,それらの幅(1.5 5 μm)を変化させて研究した。V_GS=0Vで,作製したデバイスの比オン抵抗(R_ON)はチャネル幅の増加と共に12.5から6.2mΩcm~2であった。チャネル幅の影響を80~500Vからトランジスタの破壊電圧,トランジスタブロッキング特性に及ぼす静電誘導効果(ドレインポテンシャルによる影響鞍点ポテンシャル)の重要性を示すことにより大きなであった。,チャネル幅を大きくしていくと阻止電圧利得は50から一桁の値である。物理的理由は,ドレイン-ソース電流は鞍点ポテンシャルに関連した指数関数的であるとして一次まで阻止利得はチャネル寸法に指数関数的に依存することである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポテンシャル ,  オン抵抗 ,  利得 ,  自己整合 ,  電気特性 ,  エピタクシー ,  *接合形FET ,  *炭化ケイ素 ,  ニッケル ,  電流 ,  *チャネル ,  ケイ化物
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *チャネル幅 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： SiC ,  垂直接合電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  垂直 ,  JFET ,  チャネル幅