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J-GLOBAL ID：201702266403132480   整理番号：17A0057817

モノリシック3D集積プラットフォーム開発のための結合に基づいたチャネル移動と低温プロセス【Powered by NICT】

Bonding based channel transfer and low temperature process for monolithic 3D integration platform development

著者 (8件)： Choi Rino (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 402-751, Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Korea) ,  Kim Hyungsub (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Korea) ,  Ryu Han-Youl (Department of Physics, Inha University, Incheon 402-751, Korea) ,  Bae Hee-Kyung (National NanoFab Center (NNFC), Daejon 34141, Korea) ,  Choi Kevin Kinam (The Bondis, Hwaseong 18449, Korea) ,  Cha Yong-Won (The Bondis, Hwaseong 18449, Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： S3S  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素/ヘリウムイオン注入ベースウエハ切断と結合(<450°C),低温(<550°C)その場ドープしたS/D選択的SiGeエピプロセス,化学的-機械的研磨(CMP)ウエハ上に低温(<200°C)ゲートスタック,および緑色レーザアニーリングを含むモノリシック3D集積プラットフォーム開発のための低温プロセスを研究した。これら単位技術は高性能と低電力応用のための3D集積化プラットフォーム技術を達成するために採用することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  レーザアニーリング ,  電力応用 ,  研磨 ,  *三次元 ,  *低温 ,  *チャネル
準シソーラス用語： 三次元集積化 ,  ゲートスタック ,  シリコンゲルマニウム ,  ヘリウムイオン ,  *低温プロセス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  集積 ,  プラットフォーム ,  開発 ,  チャネル ,  低温プロセス