Cdの陽極酸化から得られたCd(OH)<sub>2</sub>堆積物のセレン化による光電気化学用ストロベリー状ナノCdSe薄膜の作製

XIE Yun; WANG Liyan; LIU Peng; XIA Yue; HUANG Wei; LI Zelin

文献

J-GLOBAL ID：201702267782620708 整理番号：17A0337692

Cdの陽極酸化から得られたCd(OH)₂堆積物のセレン化による光電気化学用ストロベリー状ナノCdSe薄膜の作製

Fabrication of strawberry-like nano-CdSe thin films for photoelectrochemistry by selenizing Cd(OH)₂ deposits obtained from the anodization of Cd

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0337692&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0337692&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1021A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 21 号： 2 ページ： 477-483 発行年： 2017年02月
JST資料番号： W1021A ISSN： 1432-8488 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

CdSeはその低いバンドギャップで可視光の大半を吸収することが出来るので,光電気化学における重要な半導体であり,その薄膜を得る為の様々な合成方法が検討されている。ここでは,Cd電極を0.2M KNO₃の水溶液中で陽極酸化して得たCd(OH)₂層を0.2M Na₂SeSO₃の水溶液中でセレン化することで,Cd電極上にナノ凝集体から成る薄膜を形成し,アスコルビン酸の犠牲試薬を含有する溶液中での可視光での光電流応答を調べた。最大の光電流を得るに最適な陽極酸化時間は80秒であり,セレン化の時間は15~60分の範囲が最適であった。15分のセレン化ではCd(OH)₂の一部がCdSeに変換する程度にもかかわらず,60分処理で完全にセレン化した膜と同等の100mW cm^-2の可視光照射下で3.2mA cm^-2という高い光電流密度を示した。

, , , , , , , , , , , , , , , ,
, , ,

電気化学反応 , 塩 , 半導体薄膜 , 半導体の結晶成長

, , , , , , , ,

前のページに戻る

Cdの陽極酸化から得られたCd(OH)2堆積物のセレン化による光電気化学用ストロベリー状ナノCdSe薄膜の作製

Cdの陽極酸化から得られたCd(OH)₂堆積物のセレン化による光電気化学用ストロベリー状ナノCdSe薄膜の作製