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J-GLOBAL ID：201702267810639911   整理番号：17A0375013

選択的に成長させたGaNナノカラム中の酸素関連光ルミネセンス消光:直径への依存性【Powered by NICT】

Oxygen-related photoluminescence quenching in selectively grown GaN nanocolumns: Dependence on diameter

著者 (4件)： Bengoechea-Encabo A. (ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Albert S. (ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Sanchez-Garcia M.A. (ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Calleja E. (ISOM and Departamento Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 59-62  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNナノカラムの光ルミネセンス強度に及ぼす空気曝露の影響を報告し,約230nmまでの40nm以下の範囲の直径,GaN/サファイアとGaN/Si(111)上に選択的に成長した。選択領域成長エピタクシーによって提供された寸法の高制御,すなわち酸素光吸着による光ルミネセンス強度クエンチング,観察された現象とナノカラム特性(形態と寸法)のより良い研究を可能にした。直径が120nm以下,長さ約300nmのナノカラムの場合,光ルミネセンス強度は初期値の90%以上低下したが,短いナノカラムのための縮小降下値が見出された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： サファイア ,  *酸素 ,  *光ルミネセンス ,  エピタクシー ,  クエンチ ,  消光 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 光吸着 ,  *ナノコラム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNナノカラム ,  選択領域成長 ,  光ルミネセンス ,  酸素光吸着

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 成長 ,  GaN ,  ナノカラム ,  酸素 ,  光ルミネセンス ,  消光 ,  直径 ,  依存性