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J-GLOBAL ID：201702268049024187   整理番号：17A0222440

面内ヘテロ接合の制御された形成による高性能WSe₂電界効果トランジスタ

High-Performance WSe₂ Field-Effect Transistors via Controlled Formation of In-Plane Heterojunctions

著者 (9件)： LIU Bilu (Univ. Southern California, California, USA) ,  MA Yuqiang (Univ. Southern California, California, USA) ,  ZHANG Anyi (Univ. Southern California, California, USA) ,  CHEN Liang (Univ. Southern California, California, USA) ,  ABBAS Ahmad N. (Univ. Southern California, California, USA) ,  LIU Yihang (Univ. Southern California, California, USA) ,  SHEN Chenfei (Univ. Southern California, California, USA) ,  WAN Haochuan (Univ. Southern California, California, USA) ,  ZHOU Chongwu (Univ. Southern California, California, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 5  ページ： 5153-5160  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,WSe₂とW0_3-xの面内ヘテロ接合の制御した形成より,WSe2 FETのデバイス性能を大幅に改善するシンプルで効果的な空気加熱法を報告した。250°Cでの最適加熱後で,CVD単層のWSe₂トランジスタは,51cm²/V・sの最大正孔移動度,31cm²/V・sの平均移動度,および5×10⁸のデバイスオン/オフ比を示した。さらに,同じ方法がPVD成長の少数の層WSe₂トランジスタにも作用することを示し,WSe₂のFET性能を改善する空気加熱法の一般性を実証した。この空気加熱法は,他の2次元半導体遷移金属ジカルコゲナイドのFETの性能を向上させる一般的な方法になること示唆した。

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  化学蒸着 ,  物理蒸着 ,  キャリア移動度 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  CVD【化学蒸着】 ,  PVD ,  正孔移動度 ,  *遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ