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J-GLOBAL ID：201702268281355505   整理番号：17A0407380

高温アニーリング後のSi上のYbをドープしたZnO薄膜からの強い紫外フォトルミネセンス発光【Powered by NICT】

Intense ultraviolet photoluminescent emission from Yb doped ZnO thin films on Si after high temperature annealing

著者 (8件)： Heng C.L. (Key Laboratory of Cluster Science of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Wang T. (Key Laboratory of Cluster Science of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Su W.Y. (Key Laboratory of Cluster Science of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Wu H.C. (Key Laboratory of Cluster Science of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Yang M.C. (Key Laboratory of Cluster Science of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Deng L.G. (Key Laboratory of Cluster Science of Ministry of Education, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Yin P.G. (Key Laboratory of Bio-Inspired Smart Interfacial Science and Technology of Ministry of Education, School of Chemistry and Environment, Beihang University, Beijing, 100191, PR China) ,  Finstad T.G. (Physics Department, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316, Oslo, Norway)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 2232-2237  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のZnOスパッタ膜のバンド端近傍紫外(UV)発光は,膜(ZnO + YbO)at.%イッテルビウム約5を組み込むことにより大幅に向上できることを報告した。N_2における1100°Cでのアニーリング後,約380nmでのUVピーク強度はドープしていないZnOよりもZnO+YbOから百倍強かった。堆積したままのZnO+YbO膜は非晶質であり,700°C以上のアニーリングによるZnO結晶粒を形成する1100°C後Si基板とアニーリング反応はZnけい酸塩およびYbケイ酸塩,X線回折,高分解能透過型電子顕微鏡および走査電子顕微鏡により観測されたエネルギー分散電子分光法と共に表面上に残された埋め込まれたZnOナノ結晶とYb_2O_3ナノ結晶誘起した。光ルミネセンス(PL),PL励起,PL減衰スペクトルは励起エネルギーは周囲のケイ酸塩,Yb酸化物とZnOナノ結晶の一部の間を移動することを示したが,Yb~3+へのエネルギー移動は効率的でない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  ケイ酸塩 ,  *酸化亜鉛 ,  *焼なまし ,  エネルギー移動 ,  エネルギー散逸 ,  結晶粒 ,  *光ルミネセンス ,  X線回折 ,  *イッテルビウム ,  *発光 ,  *ドーピング ,  ナノ結晶 ,  *亜鉛
準シソーラス用語： HRTEM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnO ,  紫外ルミネセンス ,  Yb ,  薄膜 ,  Silicates ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： アニーリング ,  Si ,  Yb ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  フォトルミネセンス