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J-GLOBAL ID：201702268535102243   整理番号：17A0055472

4H-SiCエピタキシャル層とその特性に基づく粒子検出器【Powered by NICT】

Particle detectors based on 4H-SiC epitaxial layer and their properties

著者 (10件)： Zat’ko B. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Hrubcin L. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Sagatova A. (Slovak University of Technology in Bratislava, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovic∨ova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovak Republic) ,  Bohacek P. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Dubecky F. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Sedlackova K. (Slovak University of Technology in Bratislava, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovic∨ova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovak Republic) ,  Sekacova M. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Arbet J. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Necas V. (Slovak University of Technology in Bratislava, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovic∨ova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovak Republic) ,  Skuratov V. A. (Joint Institute for Nuclear Research, Joliot-Curie 6, RUS-141980 Dubna, Moscow Region, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 141-144  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： A粒子の分光学的検出器としての4H-SiC Schottkyダイオードを作製し,特性化した。直径1.4mmのNi/AuのSchottky接触を用いた。検出器の電流-電圧特性を測定し,25nAcm~ 2よりも低い電流密度を室温で観測した。4.6MeVと7.7MeVfor検出器試験の間のエネルギー範囲内のA粒子の源として用いA~226Ra。48keV以下のエネルギー分解能は7.7MeV A粒子に対して測定した。検出器はエネルギー165MeV,5×10~9cm~2および1.5×10~10cm~2のフルエンスと~132Xe~23+イオンで照射した。α粒子のスペクトルは,照射後に測定し,エネルギー分解能の顕著な劣化が観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フルエンス ,  ダイオード ,  電流電圧特性 ,  α粒子 ,  キャラクタリゼーション ,  電流密度 ,  スペクトル ,  エネルギー分解能 ,  光検出 ,  *検出器
準シソーラス用語： Schottky接触 ,  *粒子検出器 ,  *エピタキシャル層 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  粒子検出器