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J-GLOBAL ID：201702268735850066   整理番号：17A0062099

自己整合Al_2O_3ゲート誘電体を用いた優れた性能AlGaN/GaNフィンMOSHEMT【Powered by NICT】

Excellent-Performance AlGaN/GaN Fin-MOSHEMTs with Self-Aligned Al_2O_3 Gate Dielectric

著者 (9件)： Tan Xin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhou Xingye (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Guo Hongyu (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Gu Guodong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Wang Yuangang (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Song Xubo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Yin Jiayun (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 9  ページ： 098501-1-098501-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に異なるフィン幅(300nmと100nm)を有するAlGaN/GaNフィン型金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ(フィンMOSHEMT)を作製し,特性化した。80nmのT形ゲート下の高品質自己整合Al_2O_3ゲート誘電体は,アルミニウム自己酸化,ゲート漏れ電流の4桁減少を誘導するにより用いられている。従来の平面MOSHEMTと比較して,作製したフィンMOSHEMTの短チャネル効果は,ゲート構造のために有意に抑制し,得られた,非常に平坦な出力曲線,小さいドレイン誘起障壁が低いこと,より小さいサブスレショルドスウィング,より正のしきい値電圧,高い相互コンダクタンスと高い絶縁破壊電圧などの優れたdc特性。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  キャラクタリゼーション ,  *フィン ,  短チャネル効果 ,  *アルミニウム ,  *HEMT ,  *自己整合 ,  自動酸化 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  閾値電圧 ,  ゲート漏れ電流 ,  高品質 ,  サファイア基板 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己整合 ,  ゲート誘電体 ,  AlGaN ,  GaN ,  フィン