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J-GLOBAL ID：201702269120832346   整理番号：17A0399639

Nリッチ条件下でのN極性GaN(0001 )成長の過程におけるミスカットに依存する表面展開【Powered by NICT】

Miscut dependent surface evolution in the process of N-polar GaN ( 000 1 ) growth under N-rich condition

著者 (6件)： Krzyzewski Filip (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Zaluska-Kotur Magdalena A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Zaluska-Kotur Magdalena A. (Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Card. Stefan Wyszynski University, ul Dewajtis 5, 01-815 Warsaw, Poland) ,  Turski Henryk (Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences, Al. Prymasa Tysiaclecia 98, 01-424 Warsaw, Poland) ,  Sawicka Marta (Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences, Al. Prymasa Tysiaclecia 98, 01-424 Warsaw, Poland) ,  Skierbiszewski Czeslaw (Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences, Al. Prymasa Tysiaclecia 98, 01-424 Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 38-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nリッチ条件のもとでN極(0001 )GaNの成長中の表面形態の進化は,2°と4°ミスカット二基質に対する速度論的モンテカルロ(kMC)シミュレーションにより研究した。結果をプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた(0001 )GaN層の実験的に観察された表面形態と比較した。,窒素とガリウム,両タイプの原子が表面に付着し,独立して拡散がGaN(0001 )表面の提案したkMC二成分モデルは比較的高い速度ステップ流(ミスカット角<2°)のガリウム吸着原子の低移動度は表面不安定性を引き起こし,実験的に観察された粗くなるということに繋がるステップ流れ(4度傾斜カット)の低速度のための,滑らかな表面が得られることを示した。Nリッチ条件下で殆ど不動窒素原子の存在下で結晶成長は二次元島状核形成と合体の過程で実現した。より大きな結晶ミスカット,成長速度あるいは高い温度の結果表面平滑化の同様の効果であった。表面は非常に高い窒素過剰成長条件に対して平滑化ことを示した。多数窒素原子の存在下でガリウム原子の移動度は局所的に変化させ,従って分離した島のより容易な合体を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： MBE成長 ,  モンテカルロ法 ,  窒素 ,  成長速度 ,  移動度 ,  二次元 ,  平滑化 ,  *極性 ,  核形成 ,  ステップ流 ,  速度論
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  表面形態 ,  *ミスカット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1拡散 ,  A1成長モデル ,  A1表面構造 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B1窒化物 ,  B2半導性III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極性 ,  GaN ,  成長 ,  過程 ,  ミスカット ,  展開