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J-GLOBAL ID：201702269139397621   整理番号：17A0214313

サブ0.2V応用のためのナノスケールFinFET技術におけるしきい値近傍設計への新たな洞察【Powered by NICT】

New insights into the near-threshold design in nanoscale FinFET technology for sub-0.2V applications

著者 (8件)： Jiang Xiaobo (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Guo Shaofeng (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Runsheng (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Yuan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Xingsheng (Synopsys, 11 Somerset place, Glasgow G3 7JT, U.K.) ,  Cheng Binjie (Synopsys, 11 Somerset place, Glasgow G3 7JT, U.K.) ,  Asenov Asen (Synopsys, 11 Somerset place, Glasgow G3 7JT, U.K.) ,  Huang Ru (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 28.4.1-28.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギー消費はIC産業の主要な関心事となっている。その結果,近閾値電圧(NTV)設計は,エネルギー効率のその優位性のための多くの注目を集めている。しかし,デバイスの電気的FoMsは強く相関することが分かったがNTV設計は重要な課題 変動に直面し,特にFinFET技術である。本論文では,FinFETのNTV設計最適化の新しい方法論を初めて提案し,シリコンデータに基づいて実証した。三面で達成した顕著な改善(1)全ての領域における我々の新しく提案された予測コンパクト変動モデルを実験データで較正された,簡単な特性化法を用いて正確にした(2)入念に選択されたしきい値以下FoMsのセットに基づいて提案した論理設計空間最適化のための新しい効率的なアプローチと,エネルギー効率,遅延変動と破壊確率に及ぼす変動の影響を徹底的に研究した;(3)従来のゲートサイジング法もFinFET NTV設計のために特別に改善される。シリコンデータに基づいて,提案した方法論は,Vdd=199mVとVdd=145mVで実証,エネルギー効率優先度とV_dd優先シナリオを標的とした。FinFETで変化を意識した近しきい値設計のための有用なガイドラインを提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 優先度 ,  *エネルギー効率 ,  破壊確率 ,  エネルギー消費 ,  キャラクタリゼーション ,  論理設計
準シソーラス用語： 設計最適化 ,  閾値電圧 ,  *FinFET ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 数値計算  (JE02000J) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  応用 ,  ナノスケール ,  FinFET ,  しきい値 ,  近傍 ,  設計 ,  洞察