文献

J-GLOBAL ID：201702269283570205   整理番号：17A0537848

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの破壊電圧の最適化設計【Powered by NICT】

Optimization design on breakdown voltage of AIGaN/GaN high-electron mobility transistor

著者 (5件)： Liu Yang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Chai Changchun (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Shi Chunlei (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Fan Qingyang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Liu Yuqian (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 12  ページ： 44-48  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シミュレーションは,GaNH EMT(高電子移動度トランジスタ)の高耐圧を達成する可能性を探究するために実施した。N型およびP型キャップの2×10(16)~5×10(19)cm ( 3)からドーピング濃度の緩やかな増加によるGaNキャップ層をそれぞれ調べた。シミュレーション結果はPドープGaNキャップ層を持つHEMTは,同一ドーピング濃度下でNドープGaNキャップ層よりも高い破壊電圧を達成するためのより大きな可能性を持つことを示した。これはP-GaNキャップ層中のイオン化した正味負の空間電荷は,RESURF効果に大きく寄与することを示し,表面電場を調節できるためである。さらに,ゲートとドレイン電極との間のGaN緩衝液中でPドープGaN埋込み層をもつ新しいGaN/AlGaN/GaNH EMTを提案した。強化された性能を示した。提案した構造の破壊電圧は 640V UID(非意図的にドープした)GaN/AlGaN/GaNH EMTと比較して12%増加である。電子密度の分布を計算し,解析した。空乏領域が広いと電場最大値は埋込み層の左縁で誘導されることが分かった。GaNバッファ中に埋め込まれたPドープGaN埋込み層をもつ新しい構造はパワーデバイスの特性を改善するより良いを持っている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  空間電荷 ,  電子密度 ,  *最適設計 ,  シミュレーション ,  *HEMT ,  電場
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  空乏領域 ,  埋込み層 ,  RESURF ,  キャップ層 ,  *絶縁破壊電圧 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNH EMT ,  最適化設計 ,  破壊電圧 ,  キャップ層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  破壊電圧 ,  最適化設計