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J-GLOBAL ID：201702270178826055   整理番号：17A0750474

BCNグラフェン上の酸素分子の吸着と解離:第一原理研究【Powered by NICT】

Oxygen-Molecule Adsorption and Dissociation on BCN Graphene: A First-Principles Study

著者 (4件)： Tang Shaobin (Key Laboratory of Organo-Pharmaceutical Chemistry of Jiangxi Province, Gannan Normal University, Ganzhou, 341000, China) ,  Wu Weihua (Key Laboratory of Organo-Pharmaceutical Chemistry of Jiangxi Province, Gannan Normal University, Ganzhou, 341000, China) ,  Liu Liangxian (Key Laboratory of Organo-Pharmaceutical Chemistry of Jiangxi Province, Gannan Normal University, Ganzhou, 341000, China) ,  Gu Junjing (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces and Fujian Provincial Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen, 361005, China)
資料名： ChemPhysChem  (ChemPhysChem)
巻： 18  号： 1  ページ： 101-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1265A  ISSN： 1439-4235  CODEN： CPCHFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素と窒素を共ドープした(BCN)グラフェンは金属を含まない酸素還元反応電極触媒として,そのユニークな構造と電子特性のために他の触媒として使用するための魅力的な材料である。ここで報告された異なるタイプのBNクラスタを含むBCNグラフェンの活性O_2~-解離部位の,密度汎関数理論を用いて決定した構造である。結果は置換BNクラスタのエッジ終端と形状は分子状酸素の解離のためのBCNグラフェンの触媒活性を決定する二つの重要な因子であることを示した。N末端三角形のBN(t BN)クラスタドーピングはB端または四角形BNクラスターとt-BNと比較してエネルギー障壁を効果的に減少させる。興味あることに,N端に隣接するB原子,N末端t-BNドーピングの場合にのみ,0.08eV障壁に起因するO_2解離のための最も活性なサイトであると決定した。電子構造計算は大きな正電荷密度に加えて,B,Nドーピングにより増強されたグラフェンの触媒活性もFermi準位周辺の活性部位のπ*状態の状態密度増加に起因していることを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  ホウ素 ,  *グラフェン ,  活性部位 ,  触媒活性 ,  窒素 ,  状態密度 ,  ドーピング ,  クラスタ ,  *第一原理 ,  電極触媒 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  エネルギー障壁 ,  酸素還元 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 活性触媒部位 ,  ほう素-窒素クラスタドーピング ,  密度汎関数計算 ,  グラフェン ,  酸素分子の解離

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  酸素分子 ,  吸着 ,  解離 ,  第一原理 ,  研究