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J-GLOBAL ID:201702280140140855   整理番号:17A0699530

吸収層の最適化されたZn/Sn原子比での燐化法により調製したZnSnP_2薄膜太陽電池【Powered by NICT】

ZnSnP2 thin-film solar cell prepared by phosphidation method under optimized Zn/Sn atomic ratio of its absorbing layer
著者 (5件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 557-564  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ZnSnP_2膜は地球,ゆとりと非毒性要素による薄膜太陽電池の有望な吸収体である。Phosphidation法は,種々のZn/Sn原子比を有するZnSnP_2膜の作製に利用されている。大ZnSnP_2突起を有するZnSnP_2膜は~1(近化学量論)のZn/Snで実証した,比較的滑らかな表面を持つ膜は1以上(Znリッチ)のZn/Snを提示した。すれすれ入射X線回折測定によれば,Sn_4P_3二次相が1以下(Snリッチ)のZn/SnとZnSnP_2膜に出現したが,Zn_3P_2二次相がZn豊富な膜を示した。一方,Sn_4P_3とZn_3P_2二次相近似化学量論をもったZnSnP_2薄膜において観察され,これは最も長いキャリア寿命,時間分解光ルミネセンス測定により示唆されるに至るされていない。最終的に,短絡電流密度5.03mA~2で0.021%の変換効率はZnSnP_2薄膜太陽電池について報告されている,その吸収層は単一ZnSnP_2相とZn/Sn比化学量論を有した。リン化法によるZnSnP_2薄膜のエネルギーバンドギャップは外部量子効率により1.38eVであると推定され,ZnSnP_2は閃亜鉛鉱構造を有していることを意味する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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