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J-GLOBAL ID：201702280174274835   整理番号：17A0027150

HfO₂/In_0.53Ga_0.47As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの性能に及ぼすその場プラズマ強化型原子層堆積処理の影響

Effects of In-Situ Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Treatment on the Performance of HfO₂/In_0.53Ga_0.47As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (10件)： Luc Quang Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Cheng Shou Po (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Po Chun (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Do Huy Binh (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Jin Han (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Ha Minh Thien Huu (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Huynh Sa Hoang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Hu Chenming Calvin (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Lin Yueh Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 8  ページ： 974-977  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能反転モードHfO₂/In_0.53Ga_0.47As金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を実現するために,装置のパッシベーション用に,現場プラズマ強化原子層堆積(PEALD)技術を採用した。プリゲート界面層としてPEALD-窒化アルミニウムを利用し,続いてポストゲートリモートプラズマガス処理することによって,ゲート誘電体の優れた品質を可能にした。その場PEALD処理により,ドレイン電流,ピーク相互コンダクタンス,サブスレッショルドスイング,オフリーク電流,有効電子移動度などのDC特性を向上させた。X線光電子分光分析は,InおよびGa関連信号の減少を示した。さらに,小さなドレイン電流ヒステリシスおよび低界面準位密度(D_it)値は,高k/III-V構造の高い界面品質を裏付ける。全体として,HfO₂/In_0.53Ga_0.47As界面のPEALDパッシベーションは,MOSFET性能に関して顕著な改善を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *MOSFET ,  不動態化 ,  化学蒸着 ,  プラズマ ,  窒化アルミニウム ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  不定比化合物 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *パッシベーション ,  原子層堆積 ,  ゲート誘電体 ,  *金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  *HfO2

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  プラズマ ,  強化 ,  原子層堆積