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J-GLOBAL ID:201702280466243164   整理番号:17A0445629

裸及びシリコンで被覆されたベリリウム膜の表面粗さに及ぼすイオンビームエッチングの効果【Powered by NICT】

Effect of ion beam etching on the surface roughness of bare and silicon covered beryllium films
著者 (10件):
資料名:
巻: 311  ページ: 351-356  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低密度,高い機械的剛性と熱伝導率のため,加工ベリリウムの容易さは,宇宙鏡のための最も有望な材料,13 30 4nmの波長範囲における太陽コロナの研究を含むの一つである。この材料の広範な使用への障害は,機械研磨後のその大きな表面粗さである。本論文では,シリコン基板と研磨バルクベリリウム上に堆積した200nm厚のベリリウム膜の試料を用いて,ベリリウムの仕上げ研磨のためのイオンビームエッチングを用いての主要な側面を研究した。ベリリウム膜表面粗さに及ぼす入射角のネオンイオンエネルギー及び角度の影響に関連する研究の結果を示した。ネオンイオンの発生率とエネルギーの角度に依存してエッチング速度を測定した。400eVは±40°の入射角の範囲のわずかな表面粗さの平滑化を確保するネオンイオンエッチングのための最適エネルギーであることを見出した。ベリリウムとそれに続くエッチング800eVアルゴンイオンを上に200nmの非晶質シリコン膜の堆積は0.025 60μm~ 1の空間周波数の範囲で積分した有効表面粗さを改善し,σ_eff=1.37nmσ_eff=0.29nmまで。X線応用のための平滑化技術の有効性は基板上に堆積したMo/Siミラーの反射特性の研究の結果により確認した。13.5nmの波長での反射率は,平滑化技術後に67.5%までσ_eff=2.3nmの表面粗さ(粗さ値は,作製したままのバルクBe基板に対応し,文献から得た)を持つ基質の2%から増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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その他の無機化合物の薄膜 
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