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J-GLOBAL ID：201702280616509244   整理番号：17A0133042

TiN/TiN(001)膜成長動力学に対する入射N原子運動エネルギーの影響: 分子動力学研究

Effects of incident N atom kinetic energy on TiN/TiN(001) film growth dynamics: A molecular dynamics investigation

著者 (6件)： Edstrom D. (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Sangiovanni D. G. (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Hultman L. (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Petrov I. (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Greene J. E. (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Chirita V. (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 2  ページ： 025302-025302-10  発行年： 2017年01月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *薄膜成長 ,  *イオン注入 ,  *運動エネルギー ,  *分子動力学 ,  フラックス【流束】 ,  半導体薄膜 ,  空格子点 ,  クラスタ ,  窒素
準シソーラス用語： *TiN ,  吸着原子 ,  吸着分子

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (7件)： TiN ,  膜成長 ,  動力学 ,  N原子 ,  運動エネルギー ,  分子動力学 ,  研究