温度分布を考慮した高速ウエハレベルIO実験計画と適応リフレッシュを備えた1.2V,20nmの307GB/s HBM DRAM【Powered by NICT】

Sohn Kyomin; Yun Won-Joo; Oh Reum; Oh Chi-Sung; Seo Seong-Young; Park Min-Sang; Shin Dong-Hak; Jung Won-Chang; Shin Sang-Hoon; Ryu Je-Min; Yu Hye-Seung; Jung Jae-Hun; Lee Hyunui; Kang Seok-Yong; Sohn Young-Soo; Choi Jung-Hwan; Bae Yong-Cheol; Jang Seong-Jin; Jin Gyoyoung

文献

J-GLOBAL ID：201702281108601247 整理番号：17A0754803

温度分布を考慮した高速ウエハレベルIO実験計画と適応リフレッシュを備えた1.2V,20nmの307GB/s HBM DRAM【Powered by NICT】

A 1.2 V 20 nm 307 GB/s HBM DRAM With At-Speed Wafer-Level IO Test Scheme and Adaptive Refresh Considering Temperature Distribution

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著者 (19件)： , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 52 号： 1 ページ： 250-260 発行年： 2017年
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1.2V,20nm307GB/s広帯域メモリ(HBM)DRAMは,高性能コンピューティング応用の広帯域の要求を満足させるために提示した。HBMは緩衝液ダイと多重コア金型から構成されており,各コア金型は付加的な1Gb ECCアレイを用いた8Gb DRAMセルアレイを持っている。アットスピードウエハレベル,uバンプIO試験スキームと温度分布を考慮した適応リフレッシュ方式は電力効率の良い方法でテストカバレッジと安定した動作を保証するために提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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半導体集積回路

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