ナノプローブ技術を用いたサブ10nm nチャネルMOSトランジスタの電子ビーム誘起ダメージの電気的特性評価

KANG Jonghyuk; KANG Jonghyuk; LEE Sungho; CHOI Byoungdeog

文献

J-GLOBAL ID：201702281296094058 整理番号：17A0685981

ナノプローブ技術を用いたサブ10nm nチャネルMOSトランジスタの電子ビーム誘起ダメージの電気的特性評価

Electrical characterization of electron beam induced damage on sub-10 nm n-channel MOS transistors using nano-probing technique

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資料名：
巻： 55 号： 11 ページ： 111301.1-111301.5 発行年： 2016年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

走査型電子顕微鏡(SEM)などの集束電子ビームベースの検査機器は,縮小サイズのデバイスの製造プロセスおよび不良解析において広く普及している。本論文では,電子線加速電圧と露光時間の関数として,電子線照射の影響を調べるために,10nmの設計ルールのnチャネルMOS(NMOS)トランジスタを作製した。本研究では,AFMベースのナノプローブ技術を用いて,1.0kV未満の電子ビーム加速電圧に対する10nm未満のnチャネルMOSトランジスタに対する,電子ビーム誘起損傷を評価した。電子線照射後,全てのデバイスパラメータがシフトし,これらのシフトは,ゲート誘電体層および界面トラップにトラップされたホールによって説明することができた。界面トラップの生成は,トランジスタの接合特性にも影響を与え,トランジスタリーク電流の大幅な変化をもたらした。最後に,本研究では,電子ビームが1.0kV未満の範囲であっても,ナノプローブシステムを用いて接触レベルで電気デバイスの特性評価を行う前に,電子ビーム露光を避けることが重要であることが示された。サブ10nmデバイスの故障解析中に電子ビーム誘起のデバイスパラメータの変化を無視することはできないからである。

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電子・陽電子との相互作用一般 , 固体デバイス計測・試験・信頼性

引用文献 (31件)：

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