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J-GLOBAL ID:201702281417805246   整理番号:17A0079618

不活性環境内でのパルス・レーザ・アブレーションによるErAsナノ粒子の成長

Growth of ErAs Nanoparticles by Pulsed Laser Ablation in an Inert Environment
著者 (5件):
資料名:
巻: 45  号: 12  ページ: 6247-6250  発行年: 2016年12月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ErAsナノ粒子をIII-V半導体薄膜中に配合すると,膜内のエピタキシャル関係を維持しつつ,得られるナノ複合材料の特性を顕著に変化させることが示されている。これらの複合体は広範囲に研究されているにもかかわらず,ホストマトリックスが存在しない粒子自体の研究はほとんどなされていない。不活性環境内でレーザ・アブレーションにより,ホストマトリクスの外部でのErAsナノ粒子成長を実証した。アブレーション・ターゲットおよび得られた粉末の組成の決定とプレス加工された粉末ターゲットから2元ナノ粒子を成長する要件と粒子の成長に対する制限因子をより良く理解するために,Rietveld精製法を使用した。ErAs濃度67.1%の粉末が得られ,より高い濃度は,より高い純度のターゲットで達成されると期待される。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.
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著者キーワード (3件):
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レーザの応用  ,  結晶成長技術・装置 

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