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J-GLOBAL ID:201702281680319195   整理番号:17A0326000

薄いCリッチSiCバッファ層上に成長させた屈曲性基板のないGaN LEDの移動フレキシブル誘電体と金属板へ【Powered by NICT】

Transferring the bendable substrateless GaN LED grown on a thin C-rich SiC buffer layer to flexible dielectric and metallic plates
著者 (11件):
資料名:
巻:号:ページ: 607-617  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cリッチa-SiCバッファ堆積SiO_2/Si基板上のエピタキシャルGaN LEDを成長させることにより,多様な柔軟な金属/誘電体膜への単純化した移動を実証した。1000°Cでの高い成長温度と遅い堆積速度の両方は非常に初期にa-SiCの表面法線に沿ったn-GaNの細心のMOCVD成長における重要な役割をplaid。高基板温度は,(0004)配向,結晶n-GaN再成長を改善していくには,界面でのn-GaNとSiCの間の格子不整合を減少させる効果的に部分的に結晶化した非晶質からのCに富むSiCバッファの微細化を促進した。フレキシブル銅板に移動基板のないGaN LEDは2.6Vのターンオン電圧,370mWの強化された出力,拡大したパワー/電流勾配が1.24W A~ 1の45%の増加した外部量子効率,及び300mAのバイアス下で15%の減少した効率低下を示した。移動基板の熱伝導率はSiCバッファ上に基板のないGaN LEDのELピーク波長シフトに影響した。フレキシブル銅板上のGaN LEDを65°Cまで加熱すると,その電力を10%減少させただけで,100mAでバイアス下で1nmの波長を赤方偏移しAuger効果は39.1%の劣化したEQEと8.5%の拡大されたEQE低下をもたらした。銅板の曲率の表面直径を曲げ1.2cmまで出力を減衰し12%と格子歪誘起量子閉込めStark効果(QCSE)のために5nmのELピークを赤方偏移した。優れた熱散逸と曲げ耐性を持つ柔軟な膜に移しそのような屈曲性基板のないGaN LEDはこの時代における緑色フォトニクスのための望ましい照明要素である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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塩  ,  半導体のルミネセンス 

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