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J-GLOBAL ID：201702281786782592   整理番号：17A0375047

高効率薄膜太陽電池用の傾斜バンドギャップとμc-Si:Hバッファ層を持つシリコンゲルマニウム活性層【Powered by NICT】

Silicon germanium active layer with graded band gap and μc-Si:H buffer layer for high efficiency thin film solar cells

著者 (9件)： Pham Duy Phong (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Kim Sangho (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Park Jinjoo (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Le AnhHuy Tuan (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Cho Jaehyun (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Jung Junhee (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Iftiquar S.M. (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Yi Junsin (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea) ,  Yi Junsin (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 56  ページ： 183-188  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有及びn型ドープ層の界面に傾斜バンドギャップ水素化非晶質シリコンゲルマニウム活性層と水素化微結晶けい素バッファ層を持つ太陽電池を検討した。は有意に改善し,10.4%のデバイス効率は単一接合太陽電池を観測した。固有型微結晶シリコンバッファ層はデバイスにおける二重の役割を果たしていると考えられている;n型水素化微結晶けい素層の成長のための結晶シード層としてとi/n界面を横切った効率的な電子収集を助ける。これらに基づいて,開回路電圧(V_oc),充填因子(FF)のような細胞パラメータの増強が観察された,FFとV_ocはそれぞれ69%と0.85Vに達した。著者らの研究は,従来の一定バンドギャップ素子構造と比較して太陽電池におけるナローギャップシリコンゲルマニウム活性層をもつデバイス性能を改善する簡単な方法を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *活性層 ,  水素化 ,  *太陽電池 ,  *バンドギャップ ,  ドーピング ,  微結晶 ,  *バッファ層 ,  界面 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 充填率 ,  開回路電圧 ,  シード層 ,  *シリコンゲルマニウム ,  *薄膜太陽電池 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 薄膜シリコンゲルマニウム太陽電池 ,  バンドギャッププロファイリング ,  μc-Si:Hバッファ層

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高効率 ,  薄膜太陽電池 ,  バンドギャップ ,  Si ,  バッファ層 ,  シリコンゲルマニウム ,  活性層