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J-GLOBAL ID：201702282092384129   整理番号：17A0570241

金属支援化学エッチングとナノスフェアリソグラフィーに基づく熱酸化による希釈Siナノワイヤアレイの合成と形態制御

Synthesis and morphology control of diluted Si nanowire arrays by metal-assisted chemical etching and thermal oxidation based on nanosphere lithography

著者 (8件)： ZHOU Bukang (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  ZHOU Bukang (Univ. Sci. and Technol. China, Hefei, CHN) ,  LI Xinhua (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  SHI Tongfei (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  LIU Guangqiang (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  CAO Huaxiang (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  CAO Huaxiang (Univ. Sci. and Technol. China, Hefei, CHN) ,  WANG Yuqi (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 11  ページ： 6449-6458  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属支援化学エッチング法で作ったナノワイヤ(NW)アレイをナノスフェアリソグラフィーに基づく熱酸化とHFエッチングし,直径/ピッチ比の高いSi NWアレイを調製した。NWの形態を改善するために不均一形態の原因となる因子を酸化過程シミュレーションにより調べた。その結果,熱酸化の温度を高くすることでNWのネッキングの緩和と酸化の促進が達成されることが明らかになった。また高温熱酸化の前にNWの先端部にSiO₂の拡散障壁層を加えることが過度の直径減少によるテーパ化の低減に有効であることが分かった。プロセス最適化で良く分離し,狭く,平滑で高い直径/ピッチ比を持つSi NWの周期的アレイを得た。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  配列 ,  ウェットエッチング ,  電子ビーム蒸着 ,  金属薄膜 ,  リソグラフィー ,  ナノ粒子 ,  直径 ,  モルフォロジー ,  形態 ,  熱酸化 ,  プロセスシミュレーション ,  温度依存性 ,  くびれ ,  二酸化ケイ素 ,  拡散障壁 ,  勾配 ,  テーパ ,  *ナノワイヤアレイ ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： ナノスフィアリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属支援化学エッチング ,  ナノスフェアリソグラフィー ,  熱酸化 ,  希釈 ,  Si ,  ナノワイヤアレイ ,  形態制御