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J-GLOBAL ID：201702282234729522   整理番号：17A0145817

信頼性物理学に基づくVsdとRds()を超えた限界を有するVDMOSデバイスの故障解析【Powered by NICT】

Failure analysis of the VDMOS device with Vsd and Rds (on) exceeded limit based on reliability physics

著者 (8件)： Li Qing (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Gao Bo (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Deng Haitao (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Lulu (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yang Dandan (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Lixin (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Luo Jiajun (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Han Zhengsheng (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PHM (Chengdu)  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる現象をもつ異なる状況下で発生した破壊が破壊解析は不規則な方法で行った。経験は故障解析を行うのに必要なものであった。新しい破壊事例が発生した場合,経験のない破壊解析を実行する効果的な方式にすることは困難である。この問題を解決するため,信頼性物理学に基づく解析法を提案した。本論文では,両パラメータVsdとRds()で失敗したパワーVDMOSデバイスは500サイクル温度サイクル試験の後に劣化した。信頼性物理学に基づく破壊解析を実験の器具をガイドするために行われる,cモード走査音響顕微鏡試験と熱抵抗試験である。最後に素子故障の根本原因を見出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *故障解析 ,  熱抵抗 ,  *故障 ,  熱サイクル ,  *信頼性 ,  走査型超音波顕微鏡 ,  破壊解析

分類 (9件)： 疲れ一般  (HC05010H) ,  ポンプ,各種揚水装置  (QD05030P) ,  構造動力学  (HD02000E) ,  システム同定  (IA02040O) ,  信頼性  (KB04040H) ,  地震波伝搬  (DC03040W) ,  設備管理  (KB02020X) ,  水理学一般,水理実験  (RC10011E) ,  構造力学一般  (HD01000X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 物理学 ,  VSD ,  RDS ,  限界 ,  故障解析