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J-GLOBAL ID：201702285967777484   整理番号：17A0696201

イオンエッチング処理による表面トポグラフィーの依存性の数値研究

Numerical Study on the Dependence of Surface Topography with Sputter Etching Process

著者 (4件)： LI Kun-Dar (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  CHANG Tsung-Lung (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  HUANG Po-Yu (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  DONG Yu-Wei (National Univ. Tainan, Tainan, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 9  ページ： 9284-9291  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶基板のイオン照射表面の形態形成と発展を異方相場モデルを用いて調べた。イオンエッチング時の表面形態の形成機構はイオンのフラックスやエネルギー,再堆積速度などの処理パラメータの影響を有意に受けた。パラメータを変えて,ナノリップル,ナノ角錐,ナノ壁,ナノ柱などの様々な表面形態を作製した。シミュレーション結果は多くの実験観察と良く一致した。エッチング速度はイオンフラックスや再堆積速度に強く依存した。イオンフラックスの増加又は再堆積速度の低下により,高いエッチング速度が得られた。一方,表面粗さはイオンスパッタリングと原子拡散の挙動に大きく影響された。広範囲の空格子点分布は特性長さが大きな粗面形態をもたらした。

シソーラス用語： *イオンエッチング ,  *トポグラフィー【形態】 ,  *モルフォロジー ,  *表面構造 ,  表面粗さ ,  ナノ構造 ,  シミュレーション ,  柱 ,  加工速度 ,  イオンビームスパッタリング ,  空格子点
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  ナノピラー ,  ナノリップル ,  数値シミュレーション ,  *表面トポグラフィー ,  *表面形態

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンエッチング ,  表面トポグラフィー ,  依存性 ,  数値 ,  研究